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电子元器件详细资料 » IC[21781] » IPD30N06S2-15
型号:IPD30N06S2-15类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63描述:MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
系列OptiMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)55V
电流_连续漏极(Id)0a025000C30A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C14.7 毫欧 @ 30A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 80µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs110nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1485pF @ 25V
功率_最大136W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装PG-TO252-3
包装带卷 (TR)

供应商

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IPD30N06S2-15相关型号

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